Ülemaailmse energiapuuduse ja keskkonnasaaste tõttu on LED-ekraanil energiasäästu ja keskkonnakaitse omaduste tõttu lai rakendusruum.Valgustuse valdkonnas rakendatakseLED helendavad tootedköidab maailma tähelepanu.Üldiselt on LED-lampide stabiilsus ja kvaliteet seotud lambi korpuse enda soojuse hajumisega.Praegu kasutatakse turul olevate suure heledusega LED-lampide soojuse hajumisel sageli loomulikku soojuse hajumist ja efekt ei ole ideaalne.LED lambidLED-valgusallika valmistatud koosnevad LED-ist, soojuseraldusstruktuurist, draiverist ja objektiivist.Seetõttu on oluline osa ka soojuse hajumisest.Kui LED ei kuumene hästi, mõjutab see ka selle kasutusiga.

Soojusjuhtimine on peamine probleem rakendusessuure heledusega LED

Kuna III rühma nitriidide p-tüüpi doping on piiratud Mg-aktseptorite lahustuvuse ja aukude suure stardienergiaga, on p-tüüpi piirkonnas eriti lihtne soojust tekitada ja see soojus tuleb jahutusradiaatoril hajutada. läbi kogu struktuuri;LED-seadmete soojuse hajumise viisid on peamiselt soojusjuhtivus ja soojuskonvektsioon;Safiir-substraadi materjali ülimadal soojusjuhtivus suurendab seadme soojustakistust, mille tulemuseks on tõsine isekuumenemise efekt, millel on laastav mõju seadme jõudlusele ja töökindlusele.

Soojuse mõju suure heledusega LED-ile

Soojus koondub väikesesse kiibi ja kiibi temperatuur tõuseb, mille tulemuseks on termilise pinge ebaühtlane jaotus ning kiibi valgusefektiivsus ja fosforlaseerimise efektiivsus väheneb;Kui temperatuur ületab teatud väärtuse, suureneb seadme rikke määr eksponentsiaalselt.Statistilised andmed näitavad, et töökindlus väheneb 10% iga 2 ℃ komponendi temperatuuri tõusuga.Kui mitu LED-i on tihedalt paigutatud valge valgustussüsteemi moodustamiseks, on soojuse hajumise probleem tõsisem.Soojusjuhtimise probleemi lahendamine on saanud suure heledusega LED-i rakendamise eelduseks.

Kiibi suuruse ja soojuse hajumise vaheline seos

Kõige otsesem viis toite-LED-ekraani heleduse parandamiseks on sisendvõimsuse suurendamine ning aktiivse kihi küllastumise vältimiseks tuleb pn-siirde suurust vastavalt suurendada;Sisendvõimsuse suurendamine tõstab paratamatult ristmiku temperatuuri ja vähendab kvantefektiivsust.Ühe transistori võimsuse paranemine sõltub seadme võimest pn-siirdest soojust eksportida.Olemasoleva kiibi materjali, struktuuri, pakkimisprotsessi, voolutiheduse ja samaväärse soojuse hajumise säilitamise tingimustes suurendab ainuüksi kiibi suuruse suurendamine ristmiku temperatuuri.