Ülemaailmse energiapuuduse ja keskkonnasaaste tõttu on LED-ekraanil energiasäästu ja keskkonnakaitse omaduste tõttu lai rakendusruum. Valgustuse valdkonnas rakendatakseLED helendavad tootedköidab maailma tähelepanu. Üldiselt on LED-lampide stabiilsus ja kvaliteet seotud lambi korpuse enda soojuse hajumisega. Praegu kasutatakse turul olevate suure heledusega LED-lampide soojuse hajumisel sageli loomulikku soojuse hajumist ja efekt ei ole ideaalne.LED lambidLED-valgusallika valmistatud koosnevad LED-ist, soojuseraldusstruktuurist, draiverist ja objektiivist. Seetõttu on oluline osa ka soojuse hajumisest. Kui LED ei kuumene hästi, mõjutab see ka selle kasutusiga.

Soojusjuhtimine on peamine probleem rakendusessuure heledusega LED

Kuna III rühma nitriidide p-tüüpi doping on piiratud Mg-aktseptorite lahustuvuse ja aukude suure stardienergiaga, on p-tüüpi piirkonnas eriti lihtne soojust tekitada ja see soojus tuleb jahutusradiaatoril hajutada. läbi kogu struktuuri; LED-seadmete soojuse hajumise viisid on peamiselt soojusjuhtivus ja soojuskonvektsioon; Safiirsubstraadi materjali ülimadal soojusjuhtivus suurendab seadme soojustakistust, mille tulemuseks on tõsine isekuumenemise efekt, millel on laastav mõju seadme jõudlusele ja töökindlusele.

Soojuse mõju suure heledusega LED-ile

Soojus koondub väikesesse kiibi ja kiibi temperatuur tõuseb, mille tulemuseks on termilise pinge ebaühtlane jaotus ning kiibi valgusefektiivsus ja fosforlaseerimise efektiivsus väheneb; Kui temperatuur ületab teatud väärtuse, suureneb seadme rikke määr eksponentsiaalselt. Statistilised andmed näitavad, et töökindlus väheneb 10% iga 2 ℃ komponendi temperatuuri tõusuga. Kui mitu LED-i on tihedalt paigutatud, et moodustada valge valgustussüsteem, on soojuse hajumise probleem tõsisem. Soojusjuhtimise probleemi lahendamine on saanud suure heledusega LED-i rakendamise eelduseks.

Kiibi suuruse ja soojuse hajumise vaheline seos

Kõige otsesem viis toite-LED-ekraani heleduse parandamiseks on sisendvõimsuse suurendamine ning aktiivse kihi küllastumise vältimiseks tuleb pn-siirde suurust vastavalt suurendada; Sisendvõimsuse suurendamine tõstab paratamatult ristmiku temperatuuri ja vähendab kvantefektiivsust. Ühe transistori võimsuse paranemine sõltub seadme võimest pn-siirdest soojust eksportida. Olemasoleva kiibi materjali, struktuuri, pakkimisprotsessi, voolutiheduse ja samaväärse soojuse hajumise säilitamise tingimustes suurendab ainuüksi kiibi suuruse suurendamine ristmiku temperatuuri.